三代据BT 内部集成电流负反馈电阻会自动降低驱动电压，使直通电流不超过额定电流的3 倍，因此它的过电流能力相对于GTR 等器件较长，但由于驱动电压的降低使IGBT 的导通压将升高，从而使器件的损耗大幅增加，因此必须尽快关断器件以免过热击穿。但在关断时必须注意使用慢关断，以降低关断过程的d 湘t 和山口dt ，以防造成过压或器件中的寄生晶闸管的电流锁定而使器件失效。对于第一代和第三＿代IGBT 由于内部没有电流负反馈电阻，直通时的电流值会比额定电流大很多，保护难度较大：关断速度慢易造成器件过热，关断得快了易造成寄生晶闸管的电流锁定。
传统的过流保护措施有两种：一是在电路中串入快速熔断器，二是检测器件中的电流，当电流超过一定值时，封锁驱动脉冲。但这两种方法都有一个共同的缺陷：过流保护豹响应太慢。因为对于快速熔断器选用时的额定电流与半导体器件的电流相当，而熔丝的瞬时过载能力比半导体器件强很多；而对于第二种方法要通过检测、比较、保护、驱动等环节来实现其保护功能，这些环节的延时通常都在us 级以上。总之，这些保护方法肯定是很难保证保护的可靠性。对于本项目中涉及到的保护主要有以下地方：
重．为了争取到时间来进行有效保护，在主电路中传入了一个大电感来延缓电流上升的速度。套在电感支路上的霍耳器件将过流的信号与给定值比较后迅速封锁驱动脉冲。
2 ．同时，在控制回路中也有着其他的措施来进一步保证可靠的关断逆变回路。如前面讲到的调功信号中F 粼J 叮端接入高电压，将功率降至最低。3 ．另外还有关于负载上补偿电容匕电压的保护电路。当电压超过给定值以后，检测电路送出封锁电平，将控制电路上的驱动脉冲封锁掉

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